Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM28V020-TGTR

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM28V020-TGTR
FM28V020-TGTR
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    70 ns
推奨
OPN
FM28V020-TGTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-32
パッケージ名 STSOP-32 (001-91156)
包装サイズ 1500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-32
パッケージ名 STSOP-32 (001-91156)
包装サイズ 1500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM28V020-TGTRは256 Kbit（32K × 8）の強誘電体ランダムアクセスメモリ（F-RAM）で、65°Cで151年間のデータ保持と100兆回（10^14）の高耐久読書きが可能です。動作電圧2.0 V～3.6 V、温度-40°C～+85°C、NoDelay™書き込み、70 nsアクセス、ページモード動作、SRAM互換ピン配置を備えます。標準動作電流5 mA、待機電流90 μA。産業・医療・データロギング用途の頻繁な書き込みに最適です。

特長

  • 256 Kbit不揮発性F-RAMメモリ
  • 32K × 8パラレル構成
  • 65°Cで151年データ保持
  • 100兆回の読書/書込耐久性
  • NoDelay™即時書込
  • SRAM互換ピン配置
  • 70nsアクセス、140nsサイクル
  • 低消費電力：5mA動作、90µA待機
  • VDD動作範囲2.0 V～3.6 V
  • 未アクセス時バスは高インピーダンス
  • ページモード高速アクセス
  • 単一チップ信頼性、電池不要

利点

  • 電源断でも長期データ保持
  • 書込耐久性ほぼ無限
  • 書込遅延ゼロで即保存
  • SRAM置換で設計が容易
  • 高速アクセスで性能向上
  • 低消費電力で省エネ
  • 一般的な電圧範囲で動作
  • バス高インピで電力変動抑制
  • ページモードで連続アクセス高速
  • 電池不要で保守軽減
  • 過酷環境でも高信頼
  • 再設計不要で手間削減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }