Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25L16B-G

High-Density 16 Kbit SPI F-RAM for Industrial Applications with Wide Operating Range
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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FM25L16B-G
FM25L16B-G
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2.7 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    2.7 V to 3.6 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25L16B-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The FM25L16B-G is a 16 Kbit nonvolatile memory employing advanced ferroelectric technology, offering reliable data retention for 151 years and rapid write operations at bus speed. With substantial write endurance and high-speed SPI bus compatibility, it is an ideal solution for various nonvolatile memory applications, from data collection to demanding industrial controls, where the long write time of other memories can cause data loss. Its guaranteed performance over an industrial temperature range makes it a versatile and reliable choice for critical applications.

機能

  • 16 Kbit F-RAM logically organized as 2K × 8 
  • High-endurance 100 trillion (1014) read/writes 
  • 151-year data retention
  • NoDelay™ writes
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Very fast serial peripheral interface (SPI)
  • Up to 20 MHz frequency
  • Sophisticated write protection scheme
  • Low power consumption
  • Low-voltage operation: VDD = 2.7 V to 3.6 V
  • Industrial temperature: –40°C to +85°C

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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