FM25L16B-G
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

FM25L16B-G

High-Density 16 Kbit SPI F-RAM for Industrial Applications with Wide Operating Range
データシート
パッケージ

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FM25L16B-G
FM25L16B-G
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Frequency
    20 MHz
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    16 kBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
FM25L16B-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 1940
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH,TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 1940
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH,TW
ウェハ製造国
US
FM25L16B-Gは16 Kbit（2K × 8）シリアルF-RAMで、高速SPIインターフェースにより最大20 MHz動作を実現します。1×10¹⁴回の読み書き耐久性、65°Cで151年のデータ保持が可能です。2.7 V～3.6 Vの動作電圧、-40°C～+85°Cの温度範囲で、シリアルフラッシュやEEPROMの直接代替品です。NoDelay™即時書き込み、低動作電流（1 MHz時200 μA）、低待機電流（標準3 μA）、先進的な書き込み保護、RoHS準拠により、産業用制御、データロギング、頻繁または高速な書き込み用途に最適です。

特長

  • 16 Kbit強誘電体RAM、2K x 8構成
  • 100兆回の高耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™即時書き込み
  • 最大20 MHzのSPIインターフェース
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト両方の書き込み保護
  • 1/4・1/2・全体のブロック保護
  • 低消費電力：200 μA動作、3 μA待機
  • 動作電圧2.7 V～3.6 V
  • –40°C～+85°C動作温度
  • 入出力容量最大6/8 pF

利点

  • 重要データの信頼性非揮発メモリ
  • 書き込み遅延なしで高速動作
  • 高耐久で頻繁な記録に最適
  • 151年保持でデータ消失防止
  • シリアルEEPROM/フラッシュ置換
  • 20 MHzで高速アクセス
  • 柔軟な保護で誤書き防止
  • 低消費で電池寿命延長
  • 幅広い電圧で多用途対応
  • 過酷環境下でも安定動作
  • 標準SPIで容易に統合
  • 小容量で高速信号伝送

アプリケーション

汎用モータードライブ
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ