Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25040B-G

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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FM25040B-G
FM25040B-G
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    4.5 V to 5.5 V
  • 動作電圧
    4.5 V to 5.5 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25040B-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 970
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 970
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
FM25040B-Gは4 Kbit（512 × 8）シリアル強誘電体RAM（F-RAM）で、SPIインターフェースを備え、頻繁かつ高速なデータ書き込みに最適な高耐久性の不揮発性メモリです。最大20 MHzのSPI動作、4.5 V～5.5 V動作、–40～+85°C対応、1014回の読み書きと151年データ保持。NoDelay™書き込み、低動作電流、強力な書き込み保護で産業制御やデータロギングに最適です。

機能

  • 4-Kbit F-RAM、512×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™書き込み即時保存
  • SPI最大20 MHz対応
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換可
  • SPIモード0・3対応
  • ハード/ソフト両方の書き込み保護
  • 1 MHz時動作電流250 μA
  • 待機電流4 μA（標準）
  • VDD動作範囲4.5 V～5.5 V
  • 動作温度–40°C～+85°C

利点

  • 重要データの信頼性非揮発保存
  • 書き込み遅延なしで高速動作
  • 頻繁なデータ更新にも強い
  • 電源断でもデータ消失防止
  • 置換でアップグレード容易
  • SPI対応で柔軟な統合
  • 誤書き防止でデータ保護
  • システム消費電力を低減
  • 過酷な環境にも対応
  • 長期保存で保守負担軽減
  • 全電圧域で安定性能
  • 既存設計に容易に統合

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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