Active and preferred
RoHS準拠

FM24V10-G

High-Frequency 1 Mbit I²C F-RAM with Wide Operating Range for Industrial Applications
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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FM24V10-G
FM24V10-G
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    2 V to 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM24V10-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 485
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 485
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The FM24V10-G is a 1-Mbit nonvolatile memory utilizing advanced ferroelectric technology. As a ferroelectric random access memory (F-RAM), it provides reliable data retention for 151 years and eliminates complexities associated with EEPROM and other nonvolatile memories. With write operations at bus speed and no write delays, it offers substantial write endurance and lower power consumption during writes compared to EEPROM. Capable of supporting 1014 read/write cycles, it is ideal for applications requiring frequent or rapid writes, such as data logging and industrial controls. The FM24V10-G enables more frequent data writing with less system overhead, making it a reliable choice for nonvolatile memory applications.

機能

  • 1-Mbit F-RAM logically organized as 128K × 8
  • Fast two-wire Serial interface (I2C)
  • Device ID and Serial Number
  • Low power consumption
  • Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
  • Industrial temperature: –40 °C to +85 °C

利点

  • Hardware compatibility
  • Unique serial number
  • Read-Only device ID

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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