Active and preferred
RoHS準拠

FM24V10-G

High-Frequency 1 Mbit I²C F-RAM with Wide Operating Range for Industrial Applications
データシート
パッケージ
ボード
EA.
個の在庫あり

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FM24V10-G
FM24V10-G
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM24V10-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 485
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 485
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM24V10-Gは1 Mbit（128K × 8）シリアルF-RAMメモリで、業界標準のI2Cインターフェースを採用し、100兆回の高耐久な読み書きと65°Cで151年のデータ保持を実現します。2.0 V～3.6 V動作、–40°C～+85°C対応、NoDelay™によるバス速度書き込み、最大3.4 MHzのI2C、スリープ時最小5 μA消費。シリアルEEPROMの直接代替として、データロギングや産業制御など頻繁・高速書き込み用途に最適です。

特長

  • 1-Mbit (128K × 8) F-RAMメモリ
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™即時書き込み技術
  • I2Cインターフェース最大3.4 MHz
  • 100 kHz/400 kHz/1 MHz/3.4MHz対応
  • 100kHz時175μA動作電流
  • 5μAスリープ電流
  • 2.0 V～3.6V低電圧動作
  • 工業用温度–40°C～+85°C
  • デバイスIDと一意シリアル番号
  • I2C EEPROMと互換

利点

  • 頻繁で高速なデータ記録に最適
  • 書き込み遅延なしで高速化
  • 長期間信頼できるデータ保持
  • 動作時の消費電力を削減
  • スリープで電池寿命延長
  • 多様なI2Cバス速度に対応
  • 過酷な環境下でも動作
  • I2C EEPROMから簡単移行
  • システム識別・追跡が容易
  • 書き込み後のポーリング不要
  • EEPROMよりシステム負担軽減
  • 多書き込み用途に最適

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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