Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM24CL04B-GTR

EA.
個の在庫あり

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FM24CL04B-GTR
FM24CL04B-GTR
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ~ 3.65 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 3.65 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM24CL04B-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM24CL04B-GTRは4 Kbit(512×8)シリアル強誘電体RAM(F-RAM)で、I2Cインターフェースを備え、頻繁なデータ記録や高速書き込みに最適な高耐久性不揮発性メモリです。100兆回の読み書き、65°Cで151年のデータ保持、2.7 V~3.65 Vの動作電圧、–40°C~+85°Cの温度範囲に対応。NoDelay™書き込み、最大1 MHz、100 μA(100 kHz)の低消費電流、シリアルEEPROMとの直接互換性により、産業用制御やデータ収集システムで信頼性の高い低消費動作を実現します。

特長

  • 4-Kbit不揮発性F-RAMメモリ
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書き込み技術
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • 低消費電力:100 μA動作、3 μA待機
  • VDD動作電圧:2.7 V~3.65 V
  • 工業用温度範囲:–40°C~+85°C
  • 入出力ノイズ耐性(シュミットトリガ)
  • 書き込み保護ピンでデータ保護
  • I2C EEPROMと互換性
  • 100/400 kHzレガシータイミング対応

利点

  • 電源断後もデータが安全
  • 頻繁な高速データ記録に最適
  • 書き込み遅延ゼロで高速
  • システム消費電力を削減
  • I2C EEPROM設計に簡単置換
  • 長寿命で重要用途に最適
  • 過酷な環境下でも動作
  • 誤書き防止でデータ保護
  • 新旧システムに対応
  • ノイズ耐性で信号信頼性向上
  • 書き込み後のポーリング不要
  • システム信頼性向上

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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