Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM24C04B-GTR

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM24C04B-GTR
FM24C04B-GTR
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM24C04B-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM24C04B-GTRは4 Kbit（512 × 8）シリアル強誘電体RAM（F-RAM）で、I2Cインターフェースを備え、100兆回の読み書き耐久性と151年のデータ保持を実現。動作電圧4.5 V～5.5 V、最大1 MHzクロック、100 kHz時最大動作電流100 μAの低消費電力。AEC-Q100 Grade 3およびRoHS準拠で、産業用制御、データロギング、頻繁な不揮発性メモリ用途に最適。

特長

  • 4-Kbit(512×8)不揮発性F-RAM
  • 100兆回の読書き耐久
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書き込み
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • 100 μA低動作電流(100 kHz)
  • 4 μA標準スタンバイ電流
  • VDD動作:4.5 V～5.5 V
  • 工業温度:–40°C～+85°C
  • 書き込み保護ピン
  • シュミットトリガー入力で耐ノイズ
  • ESD保護:2 kV HBM,500 V CDM

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 書き込み遅延なしで高速化
  • 長期信頼のデータ保存
  • 低消費で電池長持ち
  • I2C EEPROMと互換
  • 過酷な工業環境でも動作
  • 書き込み保護でデータ安全
  • ESD対策で故障リスク低減
  • 耐ノイズ入力で安定動作
  • 書き込み後のポーリング不要
  • 多様なI2C速度に対応
  • 高耐久で保守コスト削減

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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