FM16W08-SGTR
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

FM16W08-SGTR

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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FM16W08-SGTR
FM16W08-SGTR
個.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    64 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.7 V～5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    70 ns
推奨
OPN
FM16W08-SGTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-28
パッケージ名 SOIC-28 (51-85026)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-28
パッケージ名 SOIC-28 (51-85026)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
FM16W08-SGTRは64 Kbit（8 K × 8）パラレル強誘電体RAM（F-RAM）で、10¹⁴回の読み書き耐久性と65°Cで151年のデータ保持を実現します。2.7 V～5.5 V動作、–40°C～+85°C対応、70 nsアクセス、130 nsサイクルタイム。標準SRAM・EEPROMピン互換で、産業制御・データロギング・メータ用途など頻繁・高速書き込みに最適。28ピンSOIC、RoHS準拠。

特長

  • 64 Kbit (8 K × 8) F-RAMメモリ
  • 100兆回の読書き耐久
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™ 高速書き込み
  • 70nsアクセス、130nsサイクル
  • 広い電圧範囲：2.7 V～5.5 V
  • 低動作電流：最大12 mA
  • 待機電流：標準20 μA
  • SRAM/EEPROM互換ピン配置
  • 標準8 K × 8インターフェース
  • 負電圧サージ耐性
  • 先進的な強誘電体プロセス

利点

  • ほぼ無限の書き込み耐久性
  • 電源断でも長期データ保持
  • 高速書き込みでシステム高速化
  • SRAM/EEPROMと置換可能
  • バッテリ・リフレッシュ不要
  • システム設計を簡素化
  • 低消費で電池長持ち
  • 過酷環境でも高信頼性
  • 電源断でもデータ消失なし
  • 既存設計に容易に統合
  • 保守・ダウンタイム削減
  • 重要用途で高信頼

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ