CY7C25632KV18-450BZC
Active and preferred

CY7C25632KV18-450BZC

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CY7C25632KV18-450BZC
CY7C25632KV18-450BZC


製品仕様情報

  • Frequency
    450 MHz
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II+, ODT
  • メモリ容量
    72 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    0 °C~70 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~1.9 V
  • 組織 (X x Y)
    4M x 18
  • 認定
    Commercial

OPN
CY7C25632KV18-450BZC
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
CY7C25632KV18-450BZC is a 72-Mbit QDR II+ synchronous pipelined SRAM (4M × 18) with separate read and write ports for concurrent transactions and no bus turn-around. It supports four-word burst transfers with 2.5-cycle read latency and DDR I/O up to 450 MHz clock. Operates from 1.7 V to 1.9 V core and 1.4 V to VDDQ I/O supplies, and integrates ODT, PLL, QVLD, and JTAG boundary scan.

特長

  • 550 MHz clock (1100 MHz DDR data)
  • Separate read and write data ports
  • Concurrent read/write transactions
  • Four-word burst architecture
  • 2.5-cycle read latency (DOFF HIGH)
  • 1-cycle read latency mode (DOFF LOW)
  • Two input clocks (K and K)
  • Echo clocks CQ/CQ for data capture
  • QVLD pin indicates valid read data
  • On-die termination for D/BWS/K
  • PLL runs down to 120 MHz
  • Core VDD 1.7 V to 1.9 V

利点

  • High bandwidth for fast DSP/ASIC
  • No bus turn-around delays
  • Read and write run in parallel
  • Lower address bus frequency
  • Deterministic 2.5-cycle reads
  • 1-cycle reads for low latency
  • Simpler DDR timing with K/K
  • Easier high-speed data capture
  • QVLD reduces timing margin effort
  • ODT cuts external termination BOM
  • PLL improves data placement margin
  • 1.8 V core reduces power vs 2.5 V

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ