CY7C1614KV18-250BZI

データシート

パッケージ

CY7C1614KV18-250BZI

データシート

製品仕様情報

Density

144 MBit
ECC

N
On-Die Termination (オンダイ終端)

N
アーキテクチャ

QDR-II
インターフェース

Parallel
データバス幅

x 36
バンクスイッチング

N
バースト長 (Words)

2
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

QDR-II
リードボール仕上げ

Sn/Pb
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

1.7 V～1.9 V
周波数

250 MHz
組織 (X x Y)

4Mb x 36
認定

Industrial
読み込みレイテンシ (サイクル)

1.5

	推奨
OPN	CY7C1614KV18-250BZI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	P-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	525
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	No
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	P-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	525
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

CY7C1614KV18-250BZIは144-MbitのQDR II同期パイプラインド・バーストSRAMで、4M × 36構成の独立読出し/書込みポートを備えます。2ワードバーストとDDRの読出し/書込みインターフェースに対応し、最大250 MHzで動作します。コア電源は1.8 V、VDDQは1.4 V～VDD。DOFFで1.5サイクル（QDR II）または1サイクル（QDR I）の読出しレイテンシを選択でき、エコークロックと片上PLLでタイミングを支援します。

特長

独立した読/書データポート
360 MHzクロック動作
DDR I/Oで720 MHz転送
全アクセス2ワードバースト
入力クロックKとK
出力クロックCとC分離
エコークロックCQ/CQ
DOFF=1で1.5サイクル遅延
DOFF=0で1サイクル遅延
VDD電源1.8 V
VDDQは1.4 V〜VDD
IEEE 1149.1-2001 JTAG

利点

バスターンアラウンド不要
読書同時でスループット向上
360 MHzで高速スループット
エコークロックで取り込み容易
C/C分離でスキュー低減
遅延選択でタイミング容易
PLLでデータ配置を安定化
JTAGで基板テスト簡素化
ポート選択で深さ拡張可能
VDDQ範囲でI/O整合が容易
規定起動で誤動作を防止
低SERでデータ信頼性向上

アプリケーション

デザインリソース

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CY7C1614KV18-250BZI

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

CY7C1614KV18-250BZI

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