CY7C1520KV18-333BZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1520KV18-333BZXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1520KV18-333BZXI
CY7C1520KV18-333BZXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Frequency
    333 MHz
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    DDR-II CIO
  • メモリ容量
    72 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 36
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY7C1520KV18-333BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
個.
在庫あり
CY7C1520KV18-333BZXIは72 Mbit（2M×36）のDDR-II同期パイプラインSRAMで、2ワードバーストアーキテクチャを採用。333 MHzクロックに対応し、DDR転送で666 MHzのデータ転送を実現します。DOFF Highで読み出しレイテンシ1.5サイクル、DOFF LowでDDR-I互換の1サイクル。VDDは1.7 V～1.9 V、VDDQは1.4 V～VDD、165ボールFBGA（13×15×1.4 mm）のPb-free産業用です。

特長

  • 72-Mbit DDR-II同期SRAM
  • 333 MHz,666 MHzデータ転送
  • 2ワードバースト,1-bit
  • DOFF高:読出し1.5サイクル
  • DOFF低:読出し1サイクル
  • 入力クロックK/Kの2系統
  • 出力クロックC/Cの2系統
  • エコークロックCQ/CQ
  • BWSでバイト書込み
  • ZQで出力インピーダンス
  • PLL:120 MHz〜fMAX
  • IEEE 1149.1 JTAG境界スキャン

利点

  • 333 MHz動作で高帯域
  • 2ワードでアドレス周波数低減
  • 遅延選択でDDR-I/DDR-II対応
  • K/KでDDRタイミング改善
  • C/Cでクロックスキュー低減
  • CQ/CQでデータ取り込み簡素化
  • バイト書込みでRMWを削減
  • インピーダンス制御でSI改善
  • PLLで高速タイミング安定
  • 深度拡張で待ち状態不要
  • K立上り毎にアクセス開始
  • JTAGで基板テストを簡素化

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ