CY7C1470V25-200BZI
Active and preferred

CY7C1470V25-200BZI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1470V25-200BZI
CY7C1470V25-200BZI
個.
データシート


製品仕様情報

  • ECC
    N
  • Frequency
    200 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    NoBL, Pipeline
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    NoBL
  • メモリ容量
    72 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.38 V～2.63 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    1

推奨
OPN
CY7C1470V25-200BZI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
P -BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85165)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
P -BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85165)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY7C1470V25-200BZIは72 Mbit（2M × 36）の2.5 V同期パイプライン・バーストSRAMで、No Bus Latency（NoBL）アーキテクチャを採用しています。200 MHzのゼロウェイト動作と入出力フルレジスタに加え、バイト書き込みとリニア/インターリーブドのバースト順序に対応します。電源2.375 V～2.625 V、動作温度-40°C～+85°Cで、165ボールFBGAパッケージです。

特長

  • NoBL SRAMでR/Wゼロ待ち
  • 200 MHz同期パイプライン
  • 入出力フルレジスタ
  • 最大tCO 3.0 ns
  • バースト最大4転送
  • 線形/インタリーブ順
  • BW[x]でバイト書込み
  • VDD 2.5 V(2.375-2.625)
  • VDDQ 2.5 V(2.375-VDD)
  • CENでクロック停止
  • 非同期OEで3ステート
  • IEEE 1149.1 JTAG対応

利点

  • ゼロ待ちで帯域を最大化
  • 200 MHzで高速SRAMバス対応
  • レジスタI/Oでタイミング容易
  • tCO 3.0 nsで読出し遅延低減
  • 4ビートでアドレス切替低減
  • バースト順でキャッシュ最適化
  • バイト書込みでRMW簡素化
  • 2.5 Vコアで消費電力低減
  • 2.5 V I/Oで一般ロジック適合
  • CENでサイクル伸長可能
  • OEでバス競合を防止
  • JTAGで基板テストを短縮

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ