CY7C1461KV33-133AXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1461KV33-133AXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1461KV33-133AXI
CY7C1461KV33-133AXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • ECC
    N
  • Frequency
    133 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    NoBL, Flow-through
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    NoBL
  • メモリ容量
    36 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    3.14 V～3.63 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    1

推奨
OPN
CY7C1461KV33-133AXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TQFP-100
パッケージ名 TQFP-100 (51-85050)
梱包サイズ 72
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TQFP-100
パッケージ名 TQFP-100 (51-85050)
梱包サイズ 72
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
個.
在庫あり
CY7C1461KV33-133AXIは36 Mbit（1M×36）の同期フロースルー・バーストSRAMで、NoBL™アーキテクチャにより最大133 MHzで読み書きの真のバックツーバック転送をゼロ・ウェイトで実現します。入力はレジスタ化され、バイト書き込み制御により高スループットのバッファ用途に適します。VDDは3.135 V～3.6 V、VDDQは2.5 Vまたは3.3 Vに対応し、Pb-free 100ピンTQFPで-40°C～+85°Cで提供されます。

特長

  • NoBLでR/Wデッドサイクルなし
  • 最大133 MHz、ウェイトなし
  • 毎クロックでデータ転送
  • 同期フロー・スルーBURST SRAM
  • リニア/インタリーブBURST
  • tCDV 6.5 ns(CLK→有効)
  • VDD 3.135 V～3.6 V
  • VDDQ 2.375 V～2.625 V
  • BWX+WEでバイト書込み
  • チップイネーブル3本(CE1-3)
  • 非同期OEで3ステート制御
  • ZZスリープでデータ保持

利点

  • R/W切替えが途切れない
  • 133 MHzで帯域を向上
  • 1サイクル転送で高速処理
  • 同期でタイミング設計が容易
  • BURSTで制御オーバーヘッド減
  • 6.5 nsでタイミング余裕増
  • 3.3 Vコアで電源統合が容易
  • 2.5 V/3.3 V I/Oで適合拡大
  • バイト書込みで書込み量削減
  • 3 CEでバンク拡張が簡単
  • OEの3ステでバス競合回避
  • スリープで省電力＋保持

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ