CY7C1370KV33-200BZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1370KV33-200BZXI

個.
在庫あり

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CY7C1370KV33-200BZXI
CY7C1370KV33-200BZXI
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • Density
    18 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    NoBL, Pipeline
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    4
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    NoBL
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    3.135 V~3.6 V
  • 周波数
    167 MHz
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2
OPN
CY7C1370KV33-200BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 136
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 136
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1370KV33-200BZXIは18 Mbit(512K×36)の同期パイプライン・バーストSRAMで、No Bus Latency(NoBL)アーキテクチャとオンチップECCを搭載します。200 MHzのゼロ・ウェイトステート動作に対応し、入出力フルレジスタ、バイト書き込み、リニア/インターリーブ・バーストをサポート。コア電源3.135 V~3.6 V、I/Oは2.5 Vまたは3.3 V、Pb-free 165ボールFBGA、-40°C~+85°C対応です。

特長

  • 250 MHz同期バーストSRAM
  • 読書切替がゼロウェイト
  • NoBL無バスレイテンシ
  • 入出力フルレジスタ構成
  • クロック出力tCO最大2.5 ns
  • バースト最大4回転送
  • リニア/インタリーブ順
  • BWx信号でバイト書込み
  • 同期セルフタイム書込み
  • 3チップEN+非同期OE三態
  • ZZスリープでデータ保持
  • IEEE1149.1 JTAG境界スキャン

利点

  • 250 MHzバスで高スループット
  • 待ち無しで高速切替
  • 連続バックツーバック動作
  • 高速設計でタイミング容易
  • tCO2.5 nsで読出し遅延低減
  • 4ビートでアドレス切替減
  • バースト順でバス適合
  • バイト書込みでRMW削減
  • 書込みタイミング調整不要
  • バンク拡張が容易で競合低減
  • スリープで待機低減+保持
  • JTAGで基板テスト/デバッグ簡素

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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