Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY7C1041G30-10ZSXI

High-Performance 4 Mbit FAST SRAM with Parallel Interface and Industrial Qualification
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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CY7C1041G30-10ZSXI
CY7C1041G30-10ZSXI
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2.2 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    2.2 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1041G30-10ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1350
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1350
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CY7C1041G30-10ZSXI is a high-performance 4 Mbit CMOS fast static RAM with embedded ECC for industrial applications. With a density of 4 Mbit, it offers a parallel interface, operating at a speed of 10 ns. This FAST SRAM operates in a wide temperature range from -40°C to 85°C, with an operating voltage range of 2.2V to 3.6V. The device is available in single chip-enable option and multiple pin configurations, with a lead ball finish of Ni/Pd/Au. Additionally, it features an organization of 256K x 16 and includes an ERR pin to signal error-detection and correction events during read cycles. In conclusion, CY7C1041G30-10ZSXI provides high-density, high-speed, and reliable operation for industrial applications.

機能

  • High speed
  • Embedded ECC for single-bit error correction
  • Low active and standby currents
  • Operating voltage range: 2.2V to 3.6V
  • 1.0-V data retention
  • TTL-compatible inputs and outputs

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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