CY62167GN30-45BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62167GN30-45BVXI

データシート
パッケージ

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CY62167GN30-45BVXI
CY62167GN30-45BVXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62167GN30-45BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
CY62167GN30-45BVXI is a 16-Mbit (1M × 16 or 2M × 8) high-performance CMOS SRAM with 45 ns access. It runs from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to +85°C and supports easy expansion using CE1, CE2, and OE plus byte enables (BLE/BHE). Automatic power-down cuts standby to 1.5 µA typical (8 µA max); operating ICC is 29 mA typical at 22.22 MHz. BVXI is a Pb-free 48-ball VFBGA (6 × 8 × 1 mm).

特長

  • 16-Mbit SRAM; 1M×16 or 2M×8
  • 45 ns read cycle time (tRC)
  • 22 ns OE to data valid (tDOE)
  • 2.2 V to 3.6 V supply (VCC)
  • 1.5 µA typ standby current (ISB)
  • 8 µA max standby current (ISB1)
  • 35 mA max ICC at 22.22 MHz
  • 1 V data retention supply (VDR)
  • 8 µA max data retention (ICCDR)
  • Byte enables BHE/BLE for 8-bit
  • High-Z I/O via CE/OE/BHE/BLE
  • ESD >2001 V (MIL-STD-883)

利点

  • Flexible 16/8-bit bus interface
  • 45 ns access supports fast CPU
  • 22 ns OE improves read latency
  • 2.2–3.6 V fits 3 V systems
  • 1.5 µA standby extends battery
  • 8 µA max limits sleep power
  • 35 mA max reduces active power
  • Retains data down to 1 V VCC
  • µA retention cuts backup power
  • Byte writes cut write energy
  • High-Z enables easy expansion
  • High ESD improves robustness
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ