CY62167EV18LL-55BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62167EV18LL-55BVXI

個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62167EV18LL-55BVXI
CY62167EV18LL-55BVXI
個.


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V~2.25 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial

OPN
CY62167EV18LL-55BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH,TW
ウェハ製造国
CN,US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH,TW
ウェハ製造国
CN,US
個.
在庫あり
CY62167EV18LL-55BVXI is a 16-Mbit (1 M × 16) CMOS asynchronous SRAM for battery-powered embedded systems. It operates from 1.65 V to 2.25 V over -40°C to +85°C and is specified for 55 ns access. Automatic power-down reduces standby current to 1.5 µA typical (12 µA max). Active current is 2.2 mA typical at 1 MHz (4.0 mA max). It is offered in a 48-ball 6 × 8 × 1 mm Pb-free VFBGA package.

特長

  • 1 M × 16 CMOS SRAM array
  • 55 ns read/write cycle time
  • 1.65 V to 2.25 V VCC operation
  • 1.5 µA typ standby current
  • 12 µA max standby current
  • 2.2 mA typ ICC at 1 MHz
  • 30 mA max ICC at fmax
  • OE/CE tri-state outputs (High-Z)
  • Byte write via BHE/BLE signals
  • 10 pF max CIN/COUT
  • ESD >2001 V (MIL-STD-883)
  • -40°C to +85°C ambient range

利点

  • Fits 16-bit buses, fewer chips
  • 55 ns supports fast SRAM access
  • Low VCC suits low-voltage SoCs
  • µA standby extends battery life
  • Low max standby improves sleep power
  • Low active mA cuts runtime power
  • 30 mA max bounds supply sizing
  • High-Z outputs simplify bus sharing
  • Byte writes reduce write bandwidth
  • Low capacitance eases signal timing
  • ESD robustness improves handling yield
  • Wide temp range improves reliability

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ