CY62167ELL-45ZXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62167ELL-45ZXIT

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CY62167ELL-45ZXIT
CY62167ELL-45ZXIT
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製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V~5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial

OPN
CY62167ELL-45ZXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
CN,US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
CN,US
個.
在庫あり
CY62167ELL-45ZXI is a 16-Mbit CMOS SRAM configurable as 1 M × 16 or 2 M × 8, with 45 ns access for processor interfaces with TTL input levels. It operates from 4.5 V to 5.5 V over –40°C to +85°C and uses CE1/CE2, OE, and BLE/BHE controls for memory expansion and byte writes. Automatic power-down reduces standby to 1.5 µA typ (12 µA max); active current is 2.2 mA typ at 1 MHz and 25 mA typ at fMAX.

特長

  • 16-Mbit SRAM, 1 M×16 or 2 M×8
  • 45 ns read/write cycle time
  • 4.5 V to 5.5 V VCC operation
  • 2.2 mA typ at 1 MHz active
  • 1.5 µA typ standby power-down
  • 12 µA max standby current
  • TTL input levels supported
  • CE1/CE2/OE chip control inputs
  • BLE/BHE byte write enables
  • High-Z outputs on disable
  • >2001 V ESD (MIL-STD-883)
  • Latch-up current >200 mA

利点

  • Flexible 16-bit or 8-bit bus design
  • 45 ns access boosts CPU throughput
  • 5 V supply fits legacy designs
  • Low active current cuts power draw
  • µA standby extends battery life
  • Low max standby eases power budget
  • Direct TTL interfacing reduces glue
  • CE/OE simplify memory expansion
  • Byte writes reduce write bandwidth
  • High-Z avoids bus contention
  • High ESD cuts handling failures
  • Latch-up immunity improves uptime

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ