CY62158EV30LL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62158EV30LL-45ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62158EV30LL-45ZSXI
CY62158EV30LL-45ZSXI
個.
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62158EV30LL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり
CY62158EV30LL-45ZSXIは低消費電力ポータブル向けの8 Mbit（1024K×8）CMOS非同期SRAMです。2.2 V～3.6 V、-40～+85°Cで動作し、アクセス時間45 ns。非選択時は自動パワーダウンでスタンバイ電流2 µA典型（最大8 µA）、1 MHz時のアクティブ電流は6 mA典型です。CE1/CE2とOEで読み書きを制御。-45ZSXIはPbフリー44ピンTSOP IIです。

特長

  • 8 Mbit SRAM 1024K×8構成
  • 45 ns読出/書込サイクル
  • OE→データ有効 22 ns
  • 単一電源 2.2～3.6 V
  • 1 MHz動作電流 6 mA typ
  • fmax 18 mA typ/25 mA max
  • 待機 2 µA typ/8 µA max
  • 非選択時 自動パワーダウン
  • VCC≥1.5 Vでデータ保持
  • ICCDR 3.2 µA typ/8 µA max
  • OE制御の3ステート出力
  • CE1/CE2でメモリ拡張

利点

  • 45 nsでアクセス遅延を低減
  • 22 nsで読出し応答を短縮
  • 2.2～3.6 Vで3.3 V系に対応
  • 6 mAでバッテリー寿命を改善
  • 低待機でスリープ消費低減
  • 自動PDでアイドル電力削減
  • 1.5 V保持で状態を保持
  • 3ステートでバス共有が容易
  • CE1/CE2で容量拡張が容易
  • CMOSレベルでMCU接続容易
  • 低リークでデータ信頼性向上
  • 高速動作で処理性能を向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ