CY62157EV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157EV30LL-45BVXIT

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62157EV30LL-45BVXIT
CY62157EV30LL-45BVXIT
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62157EV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり
CY62157EV30LL-45BVXITは低消費電力向け8-Mbit（512K×16）CMOS SRAMです。2.2 V～3.6 Vで動作し、アクセス45 nsに対応。アクティブ電流は1 MHzで6 mA typ（7 mA max）、fmax時ICCは18 mA typ（25 mA max）。自動CEパワーダウンでスタンバイ2 µA typ（8 µA max）。BHE/BLEのバイトイネーブルで8ビット書込み対応。-40～+85°C Industrial、48ボールPb-free VFBGA、テープ&リール。

特長

  • 8 Mbit SRAM、512K×16
  • 512K×16/1M×8切替
  • 読出しtRC=45 ns
  • OE→有効tDOE=22 ns
  • VCC 2.20 V～3.60 V
  • 待機電流 typ 2 µA
  • 1 MHz動作 typ 6 mA
  • 非選択で自動パワーダウン
  • BHE/BLEでバイト書込
  • 非選択時出力はハイZ
  • データ保持VDR=1.5 V
  • I/O容量 最大10 pF

利点

  • 8 Mbitで基板スペース削減
  • 1M×8でバス整合が容易
  • 45 nsで高速CPUに対応
  • 22 ns OEで高速読出し
  • 2.2～3.6 Vで電源互換
  • 2 µA待機で電池寿命延長
  • 6 mA動作で消費電力低減
  • 自動PDでアイドル電力低減
  • バイト書込でRMW回避
  • ハイZでバス共有が簡単
  • 1.5 V保持でスリープ維持
  • 10 pFで信号品質を確保
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ