CY62148G-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62148G-45ZSXI

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CY62148G-45ZSXI
CY62148G-45ZSXI


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V~5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

OPN
CY62148G-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-32 (51-85095)
梱包サイズ 234
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
CN
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-32 (51-85095)
梱包サイズ 234
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
CN
ウェハ製造国
TW
CY62148G-45ZSXI is a 4-Mbit (512K × 8) MoBL™ CMOS SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. The -45 speed grade supports 45 ns access. It operates over -40°C to +85°C from a 4.5 V to 5.5 V supply and supports 1.0-V data retention. Automatic power-down standby is 3.5 µA typical and 8.7 µA max. The device uses CE/WE/OE control and is available in a 32-pin TSOP II Pb-free package.

特長

  • 4-MB SRAM (512K × 8)
  • 45 ns / 55 ns access time
  • Embedded ECC, single-bit correct
  • Separate CE, OE, WE control pins
  • HI-Z outputs when deselected
  • 1.0 V data retention mode
  • Data retention current 13 µA max
  • Standby current 8.7 µA max
  • VCC options: 1.65–2.2/3.6/5.5 V
  • Industrial temp: −40°C to +85°C
  • Input/output leakage ±1 µA max
  • Output enable to data 22/25 ns max

利点

  • Fits 8-bit, 4-MB SRAM buffers
  • Fast reads/writes cut wait states
  • ECC helps protect stored data
  • Simple async interface eases design
  • HI-Z supports shared data buses
  • Retains data with 1.0 V backup
  • Low ICCDR extends backup time
  • Ultra-low standby saves energy
  • Multiple VCC eases rail selection
  • Works across −40°C to +85°C
  • Low leakage helps low-power I/O
  • Faster OE improves read latency

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ