CY62148EV30LL-45BVIT
Active and preferred

CY62148EV30LL-45BVIT

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CY62148EV30LL-45BVIT
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製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62148EV30LL-45BVIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
P -VFBGA-36
パッケージ名 VFBGA-36 (51-85149)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
P -VFBGA-36
パッケージ名 VFBGA-36 (51-85149)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
CY62148EV30LL-45BVITは4 Mbit（512K×8）のCMOS非同期SRAMで、45 nsアクセスの低消費電力ポータブル／組込み向けです。2.2 V～3.6 V、–40°C～+85°Cで動作し、ICCは1 MHzで標準3.5 mA（fmaxで最大20 mA）、スタンバイは標準2.5 µA（最大7 µA）。CE/OE/WE制御、自動パワーダウン、ハイZ I/Oでバス共有と増設を容易にし、36ボールVFBGAを採用します。

特長

  • 4 Mbit SRAM(512K×8)
  • 電源電圧2.2 V～3.6 V
  • 読出しサイクルtRC 45 ns
  • OE LOW→データ有効22 ns
  • CE HIGHで自動パワーダウン
  • スタンバイ電流 2.5 µA typ
  • スタンバイ電流 7 µA max
  • 1 MHz時動作電流 3.5 mA typ
  • VCC=1.5 Vでデータ保持
  • 保持電流 8.8 µA max
  • CE/OE HIGHでI/OはハイZ
  • 入出力容量 10 pF max

利点

  • 高速読出しでCPU待ちを低減
  • 広いVCCで3.3 V系に適合
  • 自動パワーダウンで待機電力低減
  • µA級待機で電池寿命を延長
  • 低動作電流で省エネ
  • 1.5 V保持でデータを維持
  • ハイZ出力でバス共有が容易
  • 低容量で高速エッジに対応
  • 高速OEでスループット向上
  • CE/OE制御で増設が容易
  • 低電源電流で発熱を低減
  • 明確なタイミングで設計容易

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ