Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY62147G30-45BVXI

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パッケージ

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CY62147G30-45BVXI
CY62147G30-45BVXI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    2.2 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62147G30-45BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
包装サイズ 960
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
包装サイズ 960
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The CY62147G30-45BVXI is a 4-Mbit (256K × 16-bit) high-performance CMOS static RAM with embedded ECC for single-bit error correction, ensuring reliable data integrity in industrial applications. Operating from 2.2 V to 3.6 V with a fast 45 ns access time, it features ultra-low standby current down to 3.5 μA, 1.0-V data retention, and TTL-compatible I/O.

機能

  • 4-Mbit (256K × 16) SRAM with ECC
  • 45 ns access time
  • 2.2 V–3.6 V supply voltage range
  • Ultra-low standby current: 3.5 μA typ, 8.7 μA
  • 15 mA typ active current at 22.22 MHz
  • Embedded single-bit error correction
  • TTL-compatible I/O
  • Byte power-down feature
  • Industrial temperature range: –40°C to 85°C
  • Single chip enable operation

利点

  • ECC improves data reliability
  • 45 ns speed enables fast memory access
  • Wide voltage range supports flexible designs
  • Low standby current extends battery life
  • Low active current reduces power usage
  • Error correction prevents data loss
  • TTL I/O simplifies system integration
  • Byte power-down saves power in idle
  • Operates reliably in harsh environments
  • Simple chip enable eases control logic

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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