CY621472G30-45ZSXA
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY621472G30-45ZSXA

データシート
パッケージ

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CY621472G30-45ZSXA
CY621472G30-45ZSXA
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY621472G30-45ZSXA
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
CY621472G30-45ZSXA is a 4-Mbit (256K × 16) CMOS asynchronous SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. This dual chip-enable device operates from 2.2 V to 3.6 V with 45 ns access time, and supports -40°C to +85°C Automotive-A range. It features typical 3.5 µA standby current, 1.0-V data retention, and byte write/read via BLE and BHE. Housed in a Pb-free 44-pin TSOP II package.

特長

  • 4-Mbit SRAM (256K x 16-bit)
  • Embedded ECC single-bit correction
  • 45 ns read cycle time
  • 16-bit I/O with byte enables
  • BHE/BLE byte power-down mode
  • VCC range 2.2 V to 3.6 V
  • Standby current typ 3.5 µA
  • Data retention down to 1.0 V
  • ICCDR max 13 µA at VCC = 1.2 V
  • OE to data valid 22 ns
  • Output drive 20 mA (LOW)
  • ESD >2001 V (MIL-STD-883)

利点

  • 16-bit bus boosts throughput
  • ECC corrects soft errors in RAM
  • 45 ns access cuts wait states
  • Byte enables simplify 8-bit use
  • Byte power-down saves standby
  • 2.2–3.6 V fits 3.3 V rails
  • 3.5 µA standby extends battery
  • 1.0 V retention keeps data alive
  • Low ICCDR reduces backup power
  • 22 ns OE timing speeds reads
  • 20 mA drive eases bus interfacing
  • ESD robustness improves reliability
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ