CY621472E30LL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY621472E30LL-45ZSXI

データシート
パッケージ

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CY621472E30LL-45ZSXI
CY621472E30LL-45ZSXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY621472E30LL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 135
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 135
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
CY621472E30LL-45ZSXIは4 Mbit（256K×16）のCMOS SRAMで、電池駆動の組み込みシステムに適します。2.2 V～3.6 V、–40°C～+85°Cで動作し、アクセス時間は45 nsです。1 MHzでアクティブ電流3.5 mA typ（6 mA max）、非選択時の自動パワーダウン待機電流は2.5 µA typ（7 µA max）です。デュアルチップイネーブルとバイトイネーブルで拡張し、8ビットアクセスに対応します。

特長

  • 256K×16 CMOS SRAM構成
  • 読書きサイクル45 ns
  • 動作VCC 2.2 V～3.6 V
  • 1 MHz動作電流3.5 mA(typ)
  • スタンバイ2.5 µA(typ)
  • 非選択で消費電力>99%低減
  • VCC=1.5 Vでデータ保持
  • VCC=1.5 VでICCDR最大8.8 µA
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 非選択時に自動パワーダウン
  • OE制御の3ステート出力

利点

  • 45 nsでレイテンシ低減
  • 2.2～3.6 Vで3.3 V系に適合
  • 低動作電流で電池寿命向上
  • µA級待機で休止電力削減
  • 非選択時の省電力で節電
  • 1.5 V保持でデータ保護
  • バイト書込みでバス切替減
  • 3ステートでバス共有が容易
  • CE1/CE2で拡張が簡単
  • CMOS I/OでMCU接続容易
  • ハイZ出力で競合を低減

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ