CY62146ESL-45ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62146ESL-45ZSXIT

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62146ESL-45ZSXIT
CY62146ESL-45ZSXIT
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62146ESL-45ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり
CY62146ESL-45ZSXI is a 4-Mbit (256K × 16) CMOS SRAM for battery-powered embedded systems. It runs from 2.2 V to 3.6 V or 4.5 V to 5.5 V over -40°C to +85°C and offers 45 ns access time. Active current is 3.5 mA typical at 1 MHz (6 mA max) and standby is 2.5 µA typical (7 µA max) using automatic CE power-down when deselected. 44-pin TSOP II package supports easy memory expansion with CE/OE.

特長

  • 256K × 16 CMOS SRAM organization
  • 45 ns read cycle time (tRC)
  • 22 ns OE LOW to data valid
  • Byte write via BHE/BLE enables
  • 2.5 µA typ standby (ISB1/ISB2)
  • 7 µA max standby (ISB1/ISB2)
  • 3.5 mA typ active at 1 MHz
  • Automatic power-down on CE HIGH
  • Output tri-state on CE/OE/BHE/BLE
  • Input/output leakage ±1 µA
  • CIN/COUT max 10 pF at 1 MHz
  • ESD >2001 V (MIL-STD-883)

利点

  • 45 ns access supports fast buffers
  • 22 ns OE cuts read latency
  • Byte enables reduce write bandwidth
  • 2.5 µA standby extends battery life
  • 7 µA max eases power budgeting
  • 3.5 mA active lowers energy per op
  • Auto power-down saves idle power
  • Tri-state enables easy bus sharing
  • Low leakage cuts sleep mode drain
  • Low capacitance eases signal timing
  • Robust ESD improves handling yield
  • 16-bit data path boosts throughput

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ