CY62146ESL-45ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応

CY62146ESL-45ZSXIT

パッケージ
個.
在庫あり

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CY62146ESL-45ZSXIT
CY62146ESL-45ZSXIT
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62146ESL-45ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62146ESL-45ZSXIは電池駆動の組み込み機器向け4 Mbit（256K×16）CMOS SRAMです。2.2 V～3.6 Vまたは4.5 V～5.5 Vで動作し、-40°C～+85°C、アクセス時間45 ns。1 MHzで3.5 mA typ（6 mA max）、非選択時は自動CEパワーダウンで2.5 µA typ（7 µA max）。44ピンTSOP IIで、CE/OEにより増設が容易です。

特長

  • 256K×16 CMOS SRAM構成
  • 読出しサイクルtRC 45 ns
  • OE→データ有効tDOE 22 ns
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • スタンバイ2.5 µA典型
  • スタンバイ7 µA最大
  • 1 MHzでアクティブ3.5 mA
  • CE HIGHで自動パワーダウン
  • CE/OE/BHE/BLEで3ステート
  • 入出力リーク±1 µA
  • 1 MHzでCIN/COUT最大10 pF
  • ESD>2001 V(MIL-STD-883)

利点

  • 45 nsで高速バッファに対応
  • 22 nsで読出しレイテンシ低減
  • バイト有効で書込み帯域削減
  • 2.5 µAで電池寿命を延長
  • 最大7 µAで電源設計が容易
  • 3.5 mAで動作エネルギ低減
  • 自動パワーダウンで待機電力削減
  • 3ステートでバス共有が容易
  • 低リークでスリープ電流低減
  • 低容量でタイミング余裕増
  • 高ESDで取扱い不良を低減
  • 16ビットでスループット向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ