CY62138FLL-45SXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62138FLL-45SXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62138FLL-45SXI
CY62138FLL-45SXI
個.
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62138FLL-45SXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62138FLL-45SXI is a 2-Mbit (256K × 8) high-performance CMOS static RAM with TTL input levels for processor interfaces. It operates from 4.5 V to 5.5 V over -40°C to +85°C and delivers 45 ns access time. Low-power operation includes 1.6 mA typical ICC at 1 MHz (2.5 mA max) and automatic CE power-down standby of 1 µA typical (5 µA max) when deselected. The -45SXI option is a Pb-free 32-pin SOIC.

特長

  • 2-Mbit SRAM, 256K × 8 org
  • 45 ns read/write cycle time
  • 4.5 V to 5.5 V supply (VCC)
  • 1.6 mA typ active at 1 MHz
  • 1 µA typ standby, 5 µA max
  • Automatic power-down via CE
  • 2.0 V data retention supply (VDR)
  • ICCDR 1 µA typ, 5 µA max
  • TTL-compatible input levels
  • Tri-state outputs with OE/CE/WE
  • Input/output leakage ±1 µA
  • ESD > 2001 V (MIL-STD-883)

利点

  • Fast 45 ns SRAM lowers wait states
  • Fits 5 V rails in legacy designs
  • Low active current cuts power use
  • µA standby extends battery run time
  • Auto power-down saves idle energy
  • 2.0 V retention prevents data loss
  • Low ICCDR eases backup supply sizing
  • TTL inputs simplify MCU/CPU hookup
  • Tri-state enables shared data bus
  • Low leakage reduces standby losses
  • High ESD improves handling robustness
  • CE/OE control supports expansion

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ