CY62137FV30LL-45ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62137FV30LL-45ZSXIT

個.
在庫あり

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CY62137FV30LL-45ZSXIT
CY62137FV30LL-45ZSXIT
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
CY62137FV30LL-45ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62137FV30LL-45ZSXITは2-Mbit(128 K × 16)のCMOSスタティックRAMで、45 nsアクセスの電池駆動/組込み用途向けです。2.2 V~3.6 V、−40°C~+85°Cで動作し、CE/BHE/BLE非選択時に自動パワーダウンします。電源電流は1 MHzで1.6 mA typ、スタンバイは1 µA typ(5 µA max)。バイトイネーブルで8ビット書込み、I/O容量最大10 pF、Pb-free 44ピンTSOP II(ZS)です。

特長

  • 2 Mbit SRAM、128K×16
  • 45 ns読出/書込サイクル
  • VCC動作範囲2.2–3.6 V
  • 周囲温度−40°C〜+85°C
  • 1 MHz時ICC典型1.6 mA
  • fmax時ICC典型13 mA
  • 待機電流典型1 µA
  • 待機電流最大5 µA
  • 非選択で自動パワーダウン
  • BLE/BHEバイトイネーブル
  • VCC=1.5 Vでデータ保持
  • 1.5 V時ICCDR最大4 µA

利点

  • 16ビットで帯域を向上
  • 45 nsでCPU待ちを低減
  • 2.2–3.6 Vで3 V系に適合
  • −40〜+85°Cで環境耐性
  • 低動作電流で省エネ
  • 低待機で電池寿命を延長
  • 自動パワーダウンで待機節電
  • バイト書込みで更新省電力
  • High-Zでバス共有が容易
  • 1.5 V保持でデータ保持
  • CE/OEで拡張が簡単
  • 低リークで信頼性を向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ