CY62137FV18LL-55BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62137FV18LL-55BVXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62137FV18LL-55BVXI
CY62137FV18LL-55BVXI
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.25 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62137FV18LL-55BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62137FV18LL-55BVXI is a 2-Mbit (128K × 16) high-performance CMOS SRAM for portable, battery-powered designs. It operates from 1.65 V to 2.25 V over -40°C to +85°C and delivers 55 ns access time. Automatic power-down reduces current when addresses are not toggling, and standby is 1 µA typical (5 µA max). Typical active current is 1.6 mA at 1 MHz. It is supplied in a Pb-free 48-ball VFBGA package.

特長

  • 128K × 16 CMOS static RAM
  • 55 ns read cycle time (tRC)
  • 45 ns write cycle time (tWC)
  • 1.65 V to 2.25 V VCC range
  • 1 µA typ standby current (ISB)
  • 5 µA max standby current (ISB)
  • 1.6 mA typ ICC at 1 MHz
  • Auto power-down when deselected
  • BLE/BHE byte enables for 8-bit
  • Tri-state I/O with OE control

利点

  • 16-bit bus cuts access cycles
  • 55 ns access supports fast MCU
  • 45 ns write boosts throughput
  • Fits low-voltage 1.8 V rails
  • 1 µA standby extends battery life
  • 5 µA max eases sleep budgeting
  • Low active ICC reduces heat
  • Auto power-down saves energy
  • Byte writes cut bus switching power
  • Tri-state bus enables easy expansion

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ