CY62137EV30LL-45ZSXI

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製品仕様情報

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Density

2 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

MoBL™ SRAM
リードボール仕上げ

Ni/Pd/Au
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧範囲

2.2 V～3.6 V
組織 (X x Y)

128K x 16
認定

Industrial
速度

45 ns

	推奨
OPN	CY62137EV30LL-45ZSXI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-44
パッケージ名	TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ	675
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-44
パッケージ名	TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ	675
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

CY62137EV30LL-45ZSXIは2-Mbit（128 K × 16）のCMOS SRAMで、2.2 V～3.6 V動作の産業用-40～85°Cシステム向けです。45 nsの非同期デバイスで、CE/OE/WEとバイトイネーブル（BLE/BHE）でリード/ライト制御します。非選択時は自動パワーダウンに対応し、3.6 Vでスタンバイ電流は1 µA typ、7 µA max。1 MHz時のアクティブ電流は2.0 mA typ、2.5 mA max。Pb-freeの44ピンTSOP II（ZS）で提供されます。

特長

2 Mbit SRAM、128K×16
45 ns 読み/書きサイクル
VCC 2.2 V～3.6 V動作
待機1 µA typ、7 µA max
ICC 2.0 mA typ@1 MHz
自動CEパワーダウン
VCC=1 Vでデータ保持
ICCDR 0.8 µA typ、3 µA max
OE/CE/BLE/BHEで3状態
BLE/BHEバイト書込みイネーブル
tDOE 22 ns：OE→データ有効
入出力リーク±1 µA

利点

16ビットMCU/FPGAバスに適合
45 nsでウェイト削減
2.2～3.6 Vで3 V電源に適合
µA待機で電池寿命を延長
低ICCで動作電力を削減
自動停止で待機電力を節減
1 V保持でバックアップ対応
低ICCDRで長時間保持
3状態I/Oでバス共有が容易
バイトイネーブルで書込電力削減
高速tDOEで読出し遅延低減
低リークで負荷を低減

アプリケーション

デザインリソース

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CY62137EV30LL-45ZSXI

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