CY62137EV30LL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62137EV30LL-45ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62137EV30LL-45ZSXI
CY62137EV30LL-45ZSXI
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62137EV30LL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62137EV30LL-45ZSXI is a 2-Mbit (128 K × 16) CMOS SRAM for 2.2 V to 3.6 V operation in industrial -40 to 85°C systems. This 45 ns asynchronous device uses CE, OE, WE and byte enables (BLE/BHE) for read/write control. It supports automatic power-down when deselected, with standby current 1 µA typical and 7 µA max at 3.6 V. Active current is 2.0 mA typical at 1 MHz (2.5 mA max). It is offered in Pb-free 44-pin TSOP II (ZS).

特長

  • 2 Mbit SRAM, 128K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • VCC 2.2 V to 3.6 V operation
  • Standby 1 µA typ, 7 µA max
  • ICC 2.0 mA typ at 1 MHz
  • Automatic CE power-down mode
  • Data retention at VCC = 1 V
  • ICCDR 0.8 µA typ, 3 µA max
  • OE/CE/BLE/BHE tri-state outputs
  • Byte write enables BLE/BHE
  • tDOE 22 ns OE to data valid
  • Input/output leakage ±1 µA

利点

  • Fits 16-bit MCU/FPGA buses
  • 45 ns access reduces wait states
  • 2.2–3.6 V suits 3 V rails
  • µA standby extends battery life
  • Low ICC cuts active power budget
  • Auto power-down saves idle energy
  • 1 V retention supports backup rail
  • Low ICCDR enables long retention
  • Tri-state I/O eases bus sharing
  • Byte enables reduce write energy
  • Fast tDOE improves read latency
  • Low leakage reduces node loading

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ