CY62136FV30LL-45ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62136FV30LL-45ZSXIT

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パッケージ
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在庫あり

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CY62136FV30LL-45ZSXIT
CY62136FV30LL-45ZSXIT
個.
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製品仕様情報

  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62136FV30LL-45ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62136FV30LL-45ZSXITは2 Mbit（128K×16）のCMOSスタティックRAMで、45 ns速度グレードと自動パワーダウンによりCE非選択時の待機電流を低減します。動作電圧は2.2 V～3.6 Vで、産業用/Automotive-Aの温度範囲–40°C～+85°Cに対応。Pbフリー44ピンTSOP II（ZS）パッケージで、低消費電力の携帯機器や組み込みメモリ拡張に適します。

特長

  • 2 Mbit SRAM、128K×16
  • 45 nsの読書きサイクル
  • OEアクセス最短22 ns
  • 電源電圧2.2 V～3.6 V
  • ICC標準1.6 mA@1 MHz
  • ICC最大18 mA@fmax
  • スタンバイ電流標準1 µA
  • CE HIGHで自動パワーダウン
  • バイト書込みBLE/BHE
  • 無効時出力はハイインピ
  • 入出力リーク±1 µA
  • CIN/COUT最大10 pF

利点

  • 16ビットSRAM用途に適合
  • 高速読書きで遅延を低減
  • OE高速で非同期読出し向上
  • 2.2～3.6 V電源で動作
  • 低アクティブ電流で省電力
  • 高周波アクセスに対応
  • スタンバイで電池寿命延長
  • アイドル時の消費電力低減
  • 8ビット更新で転送量削減
  • バス共有を簡素化
  • 低リークでデータ保持向上
  • 低容量でタイミング容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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