CY62128ELL-45SXAT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62128ELL-45SXAT

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CY62128ELL-45SXAT
CY62128ELL-45SXAT


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    1 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn;Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V~5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 8
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    45 ns

OPN
CY62128ELL-45SXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
CY62128ELL-45SXAT is a 1-Mbit (128 K × 8) CMOS static RAM with 45 ns access for 4.5 V to 5.5 V systems. It supports industrial and automotive-A temperature grades (–40°C to +85°C) and uses dual chip enables (CE1/CE2) plus OE for easy memory expansion and automatic power-down. Standby current is 1 µA typical and 4 µA max (industrial), with data retention down to 2 V (VDR) when deselected.

特長

  • 128K × 8 SRAM organization
  • 45 ns read cycle time (tRC)
  • 4.5 V to 5.5 V VCC operation
  • 1.3 mA typ ICC at 1 MHz
  • 1 µA typ standby current
  • Auto CE power-down (ISB2)
  • CE1/CE2 and OE chip controls
  • High-Z outputs when deselected
  • TTL-compatible input levels
  • VIH 2.2 V, VIL 0.8 V thresholds
  • 10 pF max input capacitance
  • tDOE 22 ns OE to data valid

利点

  • Fast 45 ns cycles cut latency
  • 5 V supply fits legacy designs
  • 1.3 mA typ lowers active power
  • 1 µA standby extends battery life
  • Auto power-down saves idle energy
  • CE1/CE2 simplify memory expansion
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • TTL levels ease MCU/CPU interface
  • Defined thresholds reduce errors
  • Low capacitance eases timing margins
  • 22 ns OE read improves response
  • Lower standby cuts thermal load

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ