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鉛フリー

CY15V104QI-20LPXI

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製品仕様情報

  • Density
    4096 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    1.71 V to 1.89 V
  • 動作電圧
    1.71 V to 1.89 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15V104QI-20LPXI
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 GQFN-8 (002-18131)
包装サイズ 490
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 GQFN-8 (002-18131)
包装サイズ 490
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15V104QI-20LPXIは4Mb EXCELON™ LP強誘電体RAM(F-RAM)で、産業用途向けに設計されています。動作電圧は1.71 V~1.89 V、最大20 MHzのSPIインターフェース対応で、瞬時の不揮発性書き込み、1015回の耐久性、60°Cで151年間のデータ保持が可能。高度な書き込み保護、ユニークなデバイスID、専用256バイト特殊セクタ、低待機・休眠電流で、産業用ストレージニーズに最適です。

機能

  • 4Mb EXCELON™ LP F-RAM、512K×8構成
  • 事実上無限の耐久性:10^15回
  • 70°Cで151年データ保持
  • 即時不揮発性書き込み
  • SPIインターフェース最大20 MHz
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • ユニークなデバイス/シリアル番号
  • 256バイト特別セクタ
  • アクティブ時1.2 mA(20 MHz)
  • ディープパワーダウン/ハイバネート
  • 入出力容量最大6/8 pF

利点

  • 頻繁な高速データ記録に最適
  • 電源断時のデータ損失防止
  • 書き込み遅延ゼロで高速化
  • 標準SPIバスに容易統合
  • 重要データを柔軟に保護
  • デバイス認証・追跡が可能
  • 機密パラメータを安全保存
  • 待機時の消費電力を最小化
  • 低ピン容量でEMI低減
  • 長寿命産業用途に最適
  • シリアルEEPROM/フラッシュ代替
  • 基板識別を簡素化

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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