Active and preferred
RoHS準拠

CY15E064Q-SXE

EA.
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CY15E064Q-SXE
CY15E064Q-SXE
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 周波数
    16 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15E064Q-SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 485
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 485
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY15E064Q-SXEは64 Kbit自動車用フェロエレクトリックRAM(F-RAM)で、高速SPIインターフェースと最大16 MHzクロック、NoDelay™書き込みを実現します。10兆回の読み書き、85°Cで121年のデータ保持、4.5 V~5.5 V動作、-40°C~125°C対応。AEC-Q100 Grade 1とRoHS準拠、ハード/ソフト書き込み保護、85°Cで10 μA待機電流。高信頼性が求められる自動車データ保存用途に最適です。

特長

  • 64 Kbit F-RAM、8K × 8構成
  • 10¹³回の読書耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™バス速度書き込み
  • 最大16 MHz SPIインターフェース
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • 1 MHz時300 μA動作電流
  • 85°Cで10 μA待機電流
  • VDD動作電圧4.5–5.5 V
  • 動作温度–40°C~+125°C
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換
  • SPIモード0/3対応

利点

  • 121年の信頼性データ保存
  • 10¹³回で頻繁な記録に対応
  • 即時書き込みでデータ損失防止
  • 16 MHz SPIで高速転送
  • 低消費電力で効率向上
  • 幅広い電圧で互換性確保
  • –40°C~+125°Cで動作
  • 置換で設計変更不要
  • ハード/ソフトでデータ保護
  • 書き込み遅延なしで応答性向上
  • 高耐久で保守負担軽減
  • 柔軟なSPIモードで統合容易

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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