CY15E064Q-SXE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY15E064Q-SXE

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY15E064Q-SXE
CY15E064Q-SXE
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Frequency
    16 MHz
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    64 kBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
CY15E064Q-SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 485
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 485
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY15E064Q-SXEは64 Kbit自動車用フェロエレクトリックRAM（F-RAM）で、高速SPIインターフェースと最大16 MHzクロック、NoDelay™書き込みを実現します。10兆回の読み書き、85°Cで121年のデータ保持、4.5 V～5.5 V動作、-40°C～125°C対応。AEC-Q100 Grade 1とRoHS準拠、ハード/ソフト書き込み保護、85°Cで10 μA待機電流。高信頼性が求められる自動車データ保存用途に最適です。

特長

  • 64 Kbit F-RAM、8K × 8構成
  • 10¹³回の読書耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™バス速度書き込み
  • 最大16 MHz SPIインターフェース
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • 1 MHz時300 μA動作電流
  • 85°Cで10 μA待機電流
  • VDD動作電圧4.5–5.5 V
  • 動作温度–40°C～+125°C
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換
  • SPIモード0/3対応

利点

  • 121年の信頼性データ保存
  • 10¹³回で頻繁な記録に対応
  • 即時書き込みでデータ損失防止
  • 16 MHz SPIで高速転送
  • 低消費電力で効率向上
  • 幅広い電圧で互換性確保
  • –40°C～+125°Cで動作
  • 置換で設計変更不要
  • ハード/ソフトでデータ保護
  • 書き込み遅延なしで応答性向上
  • 高耐久で保守負担軽減
  • 柔軟なSPIモードで統合容易
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ