Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15E016Q-SXAT

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CY15E016Q-SXAT
CY15E016Q-SXAT

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 周波数
    16 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15E016Q-SXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15E016Q-SXATは16 Kbit(2K × 8)の車載グレードシリアルF-RAMで、最大20 MHzのSPIインターフェースに対応。10¹⁴回の読書き耐久性と65°Cで151年のデータ保持を実現し、EEPROMやシリアルフラッシュを凌駕します。4.5 V~5.5 V動作、–40°C~+85°C対応、高度な書き込み保護、低動作電流、RoHS準拠。8ピンSOICパッケージで、頻繁かつ迅速なデータ更新が求められる車載・産業用途に最適です。

特長

  • 16-Kbit不揮発F-RAM、2K×8構成
  • 100兆回の読書耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™書込、バス速度動作
  • 最大20 MHzのSPIインターフェース
  • ハード/ソフト書込保護
  • 動作電流250μA@1 MHz
  • 代表待機電流4μA
  • 広VDD:4.5 V~5.5 V
  • 動作温度–40°C~+85°C
  • SPIモード0/3対応
  • 1/4・1/2・全体ブロック保護

利点

  • 電源断後もデータ信頼性維持
  • 頻繁書込でも摩耗なし
  • 書込遅延・ポーリング不要
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換
  • 20 MHzで高速動作
  • 重要データ誤書込防止
  • 動作時の省エネ
  • 待機時の低消費電力
  • 過酷な環境でも動作
  • SPI複数モードで柔軟統合
  • メモリ管理が容易
  • 部品点数削減

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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