Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15E016J-SXE

データシート
パッケージ

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CY15E016J-SXE
CY15E016J-SXE
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15E016J-SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2425
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2425
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15E016J-SXEは16 Kbit（2K × 8）自動車グレードのシリアルF-RAMで、I2Cインターフェースを備え、10兆回（1013）の読み書きサイクルと85°Cで121年のデータ保持を実現します。4.5 V～5.5 V、-40°C～+125°Cで動作し、NoDelay™バス速度書き込み、低動作電流、8ピンSOICパッケージを特長とします。AEC-Q100 Grade 1およびRoHS準拠で、頻繁なデータロギング、産業用制御、即時性と高信頼性が求められる車載システムに最適です。

特長

  • 16 Kbit不揮発F-RAM、2K×8構成
  • 10兆回の読書耐久性
  • 85°Cで121年のデータ保持
  • NoDelay™書込み、即時保存
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • 100 kHz、400 kHzレガシー対応
  • 100 kHz時250 μA低動作電流
  • 40 μA（標準）低スタンバイ電流
  • 広VDD：4.5 V～5.5 V
  • 動作温度：–40°C～+125°C
  • 高ESD：2 kV HBM、500 V CDM
  • ラッチアップ電流>140 mA

利点

  • 頻繁なデータ記録も耐久無制限
  • 85°Cで121年信頼保持
  • 即時書込みで待ち時間なし
  • I2C EEPROMと置換可能
  • 低消費電力で省エネ
  • 広電圧範囲で設計柔軟
  • 過酷な車載環境にも対応
  • 高ESD/ラッチアップで堅牢
  • データポーリングや遅延不要
  • 新旧I2Cシステムに対応
  • 産業・車載用途に最適
  • 書込み制限による故障減少

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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