Active and preferred
RoHS準拠

CY15E004Q-SXET

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CY15E004Q-SXET
CY15E004Q-SXET

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 周波数
    16 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15E004Q-SXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15E004Q-SXETは4 Kbit(512 × 8)車載グレードのシリアルF-RAMで、最大16 MHzのSPIインターフェース、4.5 V~5.5 V、–40°C~+125°C動作保証を備えます。10^13回の読み書き耐久性、85°Cで121年のデータ保持、バス速度でのNoDelay™即時書き込みを実現。8ピンSOIC、AEC-Q100 Grade 1およびRoHS準拠で車載・産業の高頻度・高速・高信頼不揮発性用途に最適です。

特長

  • 4-Kbit F-RAM、512×8構成
  • 10^13回の読書耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™バス速度書込
  • 最大16 MHzのSPI対応
  • SPIモード0/3サポート
  • HW/SWライトプロテクト
  • 1 MHz時300 μA動作電流
  • 85°Cで10 μA待機電流
  • VDD動作4.5-5.5 V
  • 動作温度-40°C~+125°C
  • 先進強誘電体プロセス

利点

  • 信頼性の高い不揮発性データ保存
  • 書込遅延なしで高速更新
  • 頻繁な高速書込に対応
  • 高温でも長期データ保持
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換
  • 低消費電力で長寿命
  • 幅広い電圧温度で柔軟
  • 多重保護でデータ安全
  • 高速SPIで統合容易
  • ウェアレベリング不要
  • 過酷環境でも安定動作
  • 生涯一貫した性能

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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