新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B204QI-20LPXI

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CY15B204QI-20LPXI
CY15B204QI-20LPXI

製品仕様情報

  • Density
    4096 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    1.8 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    1.8 V ~ 3.6 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15B204QI-20LPXI
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 GQFN-8 (002-18131)
包装サイズ 490
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 GQFN-8 (002-18131)
包装サイズ 490
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B204QI-20LPXIは4-Mbit(512K × 8)Excelon LP強誘電体RAMで、最大20 MHzの高速SPIインターフェースに対応します。10^15回の読み書き耐久性と60°Cで151年のデータ保持を実現し、頻繁な書き込み用途に最適です。動作電圧は1.8 V~3.6 V、温度範囲は-40°C~+85°C。高度な書き込み保護と低消費電流(20 MHz時1.4 mA)を備えます。シリアルEEPROMやフラッシュの信頼性の高い代替として産業・IoT用途に適しています。

特長

  • 4Mビット不揮発F-RAM、512K x 8構成
  • 事実上無限の耐久性:10^15回サイクル
  • 60°Cで151年データ保持
  • NoDelay™バス速度即時書き込み
  • 20 MHz SPI対応、モード0・3
  • 先進強誘電体プロセス技術
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • 専用256バイト特殊セクタ
  • ユニークIDとシリアル番号
  • 20 MHz時1.4 mA低動作電流
  • ディープパワーダウン1.0 µA、休止0.1 µA
  • 入力電圧範囲1.8 V~3.6 V

利点

  • 151年後もデータ信頼性維持
  • 10^15回で頻繁な記録に最適
  • 即時書き込みで待ち時間ゼロ
  • 20 MHz SPIで高速転送
  • 強力な保護で誤書き防止
  • 特殊セクタはリフロー耐性
  • ユニークIDで管理容易
  • 低消費電力で電池長持ち
  • 広い電圧範囲で設計柔軟
  • EEPROM/フラッシュ代替可
  • ウェアレベリング不要
  • リアルタイムで高速書き込み

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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