Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B102QM-50SWXIT

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B102QM-50SWXIT
CY15B102QM-50SWXIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    50 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY15B102QM-50SWXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B102QM-50SWXITは2MビットEXCELON™ LP強誘電体RAM（F-RAM）で、256K × 8構成と最大50 MHzのSPIインターフェースを備えます。10^15回の読み書き耐久性と60°Cで151年のデータ保持、瞬時の不揮発性書き込み、1.8 V～3.6 V動作、–40°C～+85°C対応、0.1 µAまでの低消費モードでデータ完全性を確保し、頻繁かつ高速な不揮発性ストレージを必要とする産業用途に最適です。

特長

  • 2Mb強誘電体RAM、256K × 8構成
  • 1015回の読書耐久性
  • 60°Cで151年データ保持
  • 即時不揮発性書込技術
  • SPI最大50 MHz
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト書込保護
  • デバイス・ユニークID
  • 256バイト特別セクタ、リフロー耐性
  • 40 MHz時2.4 mA動作電流
  • 待機2.3 µA、深電源0.7 µA
  • 入出力漏れ電流±1 µA

利点

  • 長期間の信頼性データ保存
  • 書込遅延なし即時更新
  • 頻繁な書込も摩耗なし
  • 高速動作でシステム高速化
  • 柔軟なSPIで統合容易
  • データ保護・安全性向上
  • ユニークIDで追跡容易
  • 特別セクタで実装耐性
  • 低消費電力で電池長持ち
  • 待機時も省エネ
  • 微小漏れで高信頼設計

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }