Active and preferred
RoHS準拠

CY15B064Q-SXE

High-Density 64kBit SPI FRAM Module | 16MHz, -40 to 125°C, Pure Sn Finish
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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CY15B064Q-SXE
CY15B064Q-SXE
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    3 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V to 3.6 V
  • 周波数
    16 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B064Q-SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 970
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 970
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CY15B064Q-SXE is a 64-Kbit nonvolatile memory using advanced ferroelectric technology. It combines nonvolatility with RAM-like read and write operations, ensuring reliable data retention for 121 years. This eliminates complexities, overhead, and reliability issues present in other nonvolatile memories. It enables write operations at bus speed without delays and offers exceptional write endurance, supporting 1013 read/write cycles—10 million times more than EEPROM.

機能

  • 64-Kbit F-RAM logically organized as 8K × 8
  • High-endurance 10 trillion (1013) read/writes
  • NoDelay™ writes
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Very fast serial peripheral interface (SPI)
  • Sophisticated write protection scheme
  • Low power consumption
  • Low-voltage operation
  • 8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package
  • AEC Q100 Grade 1 compliant

利点

  • High-speed write capability
  • Automotive-E temperature: –40°C  to +125°C 

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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