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CY15B016Q-SXAT

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CY15B016Q-SXAT
CY15B016Q-SXAT
代替品
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製品仕様情報

  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.65 V
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    16 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15B016Q-SXAT
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
CY15B016Q-SXATは16 Kbit（2K × 8）自動車グレードのシリアルF-RAMで、100兆（10^14）回の読み書き耐久性と65°Cで151年のデータ保持を実現します。動作電圧は2.7 V～3.6 V、SPIは最大20 MHz対応、ハードウェアとソフトウェアによる書き込み保護を備えます。低アクティブ電流と待機電流で、頻繁かつ高速な書き込みが求められる自動車や産業用途に最適です。8ピンSOICパッケージはRoHS準拠、–40°C～+85°C対応。

特長

  • 16-Kbit F-RAM（2K × 8構成）
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™バス速度書き込み
  • SPI最大20 MHz対応
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • 1 MHz時200 μA動作電流
  • 3 μA標準待機電流
  • 低電圧動作：VDD 2.7-3.6 V
  • 動作温度–40°C～+85°C
  • HOLDピンで操作一時停止

利点

  • 重要データの信頼性非揮発保存
  • 書き込み遅延なく高速動作
  • 頻繁なデータ記録にも対応
  • 数十年データ保持で安心
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換
  • 電源断時のデータ損失低減
  • 低消費電流で電池長寿命
  • 多様なSPIシステムに柔軟対応
  • 書き込み保護でデータ安全
  • 幅広い温度環境で動作
  • HOLDピンでマルチタスク対応
  • 標準SPIで簡単統合

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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