CY14V116G7-BZ30XIT

データシート

パッケージ

CY14V116G7-BZ30XIT

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2031
Density

16 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 85 °C
動作電圧 (範囲)

2.7 V ～ 3.6 V
組織 (X x Y)

1Mb x 16
認定

Industrial
速度

30 ns

	推奨
OPN	CY14V116G7-BZ30XIT
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
包装サイズ	1000
包装形態	TAPE & REEL
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
包装サイズ	1000
包装形態	TAPE & REEL
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

CY14V116G7-BZ30XITは、ONFI 1.0に準拠した非同期NANDフラッシュインターフェースを備えた16MビットnvSRAMで、I/Oあたり最大33 MT/s (30 nsアクセス) と最大528Mb/sのx16スループットをサポートします。QuantumTrap SONOS不揮発性ストレージと、電源オフ時のAutoStoreに加え、ソフトウェアまたはHSBハードウェアによるSTORE/RECALL機能を統合しています。165ボールFBGAパッケージで、-40℃～85℃の温度範囲において、VCC 2.7 V～3.6 V、VCCQ 1.70 V～1.95 Vで動作します。

特長

16 Mbit nvSRAM(SONOS)
ONFI 1.0非同期NAND
x8またはx16データバス
33 MT/s/IO,最大528 Mbps
I/Oアクセス30 ns
電源断でAutoStore(VCAP)
SWまたはHSBでSTORE
電源投入でSRAMへRECALL
ステータス(結果,WP)
85°Cで20年データ保持
不揮発STORE 100万回
VCC 2.7-3.6 V;VCCQ 1.70-1.95 V

利点

SRAM並みの速度で読み書き
NANDスタイルのホストインターフェースをそのまま導入可能
x16オプションは帯域幅を向上させます
528 Mbpsで高速転送が可能
読み取りレイテンシを30 ns短縮
AutoStoreは停電時にも保護します
HW/SW STOREはシステム制御に適合します
RECALLは起動時にデータを復元します
ステータスビットは監視を簡素化します
20年間のデータ保持でデータを保護
1M STOREサイクルでアップデートをサポート
分割レールにより段差移動が容易になります

用途

デザインリソース

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }

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