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CY14E116L-ZS25XI
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CY14E116L-ZS25XI

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CY14E116L-ZS25XI
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製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    16384 kBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns

OPN
CY14E116L-ZS25XI
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
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CY14E116L-ZS25XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを各セルに組み合わせた16MビットnvSRAM (2048K×8) です。4.5 V～5.5 Vで動作し、外部のVCAPコンデンサー (19.8～82.0 µF) を使用して電源断時にハンズオフAutoStoreを実行します。また、電源投入時またはソフトウェアによってRECALLを行います。産業用-40～85℃、アクセス時間25 ns、44ピンTSOP IIパッケージ、100万回のSTOREサイクル、20年間のデータ保持能力。

特長

  • 16 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性セル技術
  • QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • SRAM読み出し/書き込み/RECALLは無制限
  • スリープモード電流: 最大10 μA
  • 電源投入時のRECALL時間: 30 ms
  • STOREサイクル時間: 8 ms
  • VCAPコンデンサ: 19.8 μF～82 μF

利点

  • 停電時にもデータを保持
  • 保持にはバッテリーは不要です
  • 柔軟な保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速再起動
  • 頻繁なセーブに対応する高い耐久性
  • SRAMへの書き込みによる摩耗なし
  • 保存データの長寿命
  • スリープは待機電力を削減
  • 10 µAのスリープは低消費電力システムに適しています
  • 予測可能なシャットダウンで時間を節約
  • シンプルなホールドアップキャップでデザインが簡単に
  • STORE/RECALL中はアクセスをブロックします

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ