CY14B256Q2-LHXI

データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B256Q2-LHXI
CY14B256Q2-LHXI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY14B256Q2-LHXIは256-Kbit（32K×8）のSPI nvSRAMで、SRAMとQuantumTrap不揮発セルを統合し電池なしでデータ保持します。40-MHz SPI（モード0/3）、WPによる書込み保護とソフトウェアブロック保護、ソフトウェアSTORE/RECALLに対応。外付け61 µF～180 µFのVCAPコンデンサで電源断時にAutoStoreを実行します。2.7 V～3.6 V、-40°C～85°Cで動作し、8ピンDFNです。

特長

  • 256-Kbit nvSRAM、32K×8
  • 電源断でAutoStore（VCAP）
  • SPI命令でSTORE実行
  • 電源投入/ SPIでRECALL
  • SPIクロック最大40 MHz
  • SPIモード0/3対応
  • 3 V電源：2.7 V～3.6 V
  • 40 MHz時の平均動作10 mA
  • スタンバイ5 mA（CS高）
  • データ保持20年
  • 不揮発STORE 1,000 K回
  • WPピン/ブロック保護

利点

  • SRAM速度と不揮発バックアップ
  • 停電時に自動でデータ保存
  • ソフトSTOREで安全に保存
  • 復電後にデータを高速復元
  • 40 MHz SPIで待ち時間短縮
  • 一般的なSPIホストに適合
  • 標準3 Vレールで動作
  • 消費電力設計を容易化
  • 待機でアイドル電力低減
  • 長期保持でデータを保全
  • 高耐久STOREでロギング対応
  • 書込み保護で破損を防止

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }