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CY14B116K-ZS25XI

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パッケージ

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CY14B116K-ZS25XI
CY14B116K-ZS25XI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    16384 kBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
CY14B116K-ZS25XI
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B116K-ZS25XIは、16Mビット (2048K×8) の並列nvSRAMで、リアルタイムクロックを内蔵し、QuantumTrap不揮発性セルを使用して20年間のデータ保持を実現しています。−40℃～+85℃の温度範囲で、2.7 V～3.6 Vの電圧において25 nsのアクセスをサポートし、電源オフ時にAutoStore、電源オン時またはソフトウェアによるRECALL機能を備えています。44ピンTSOP IIパッケージでは、最大100万回のSTOREサイクル、HSBハードウェアSTORE、および10 µAまでのスリープモードがサポートされています。

特長

  • 16-Mbit nvSRAM(SRAM+NV)
  • 2048K×8/1024K×16構成
  • 25 ns / 45 nsアクセス
  • 電源断でAutoStore
  • SWまたはHSBでSTORE
  • 電源投入またはSWでRECALL
  • STORE耐久100万回
  • データ保持20年
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • スリープ中もRTC動作
  • スリープ電流最大10 µA
  • RTC:アラーム/WDT/方形波

利点

  • NVデータ安全性を備えたSRAMの高速性
  • x8またはx16のレガシーバスに対応
  • 25 ns/45 nsで待機状態を削減
  • 自動保存によりデータ損失を防ぎます
  • イベント用のオンデマンドSTORE
  • 電源投入後の高速復元
  • Enduranceはデータロギングをサポートしています
  • 長期保持によりメンテナンスコストを削減
  • 2.7～3.6 V単一電源による設計容易化
  • スリープモードはシステム電力を削減します
  • 10 µAのスリープモードはバッテリー寿命を延ばします
  • RTCブロックは外部ICを削減します

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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