Active and preferred
RoHS準拠

CY14B108L-ZS45XIT

データシート
パッケージ

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CY14B108L-ZS45XIT
CY14B108L-ZS45XIT
データシート

製品仕様情報

  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY14B108L-ZS45XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B108L-ZS45XITは、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた8Mビット (1024K×8) の並列nvSRAMです。電源オフ時に自動STOREし、電源オン時に自動的に呼び出し (RECALL) します。制御はソフトウェアまたはHSBピンで行います。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃で、45 nsのアクセス時間、20年間のデータ保持期間、100万回のSTOREサイクルをサポートします。44ピンTSOP IIテープ＆リールパッケージで提供されます。

特長

  • 8 Mbit nvSRAM、SRAM I/F
  • アクセス最短20 ns
  • 電源断でAutoStore
  • STOREはSW/HSBピン
  • RECALLはSW/電源投入
  • QuantumTrap不揮発セル
  • データ保持20年
  • STORE耐久1,000K回
  • 単一3 V電源2.7-3.6 V
  • VCAP 122-360 uF
  • 2.65 V未満でR/W禁止
  • 電源投入RECALL 20 ms

利点

  • バッテリー不要のSRAM並み速度
  • 20 nsによるメモリアクセスレイテンシ低減
  • シャットダウン時のデータ自動保存
  • SWまたはHSB制御による柔軟なバックアップ
  • 電源復旧後の高速復元
  • 高信頼性QuantumTrapバックアップ
  • リフレッシュ不要の長時間データ保持
  • 頻繁な電源イベントへの耐性
  • シンプルな3 V電源レールによるレギュレーター削減
  • 小型コンデンサーによる簡易バックアップHW
  • ブラウンアウト時のデータ破損防止
  • 20 msのRECALLによるシステム起動高速化

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }