CY14B108L-ZS25XI

データシート

パッケージ

CY14B108L-ZS25XI

データシート

製品仕様情報

Density

8 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Pure Sn
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧 (範囲)

2.7 V ～ 3.6 V
組織 (X x Y)

1Mb x 8
認定

Industrial
速度

25 ns

	推奨
OPN	CY14B108L-ZS25XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-44
パッケージ名	TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ	1350
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	No
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-44
パッケージ名	TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ	1350
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

CY14B108L-ZS25XIは、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた8MビットのnvSRAM (1024K×8) です。動作電圧範囲は2.7 V～3.6 Vで、25 nsのアクセス速度に対応しています。AutoStoreは、122 µF～360 µFのVCAPコンデンサーを使用して、電源オフ時にSRAMを不揮発性メモリに保存します。また、STORE/RECALLはソフトウェアまたはHSBピンによってトリガーすることもできます。データ保持期間は20年で、100万回のSTOREサイクルに対応し、動作温度範囲は-40℃～85℃です。

特長

SRAMインターフェース搭載8 MビットnvSRAM
最短20 nsの高速アクセス時間
電源断時の自動保存 (AutoStore)
ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
QuantumTrap不揮発性セル
データ保持期間: 20年
STORE耐久: 100万回
単一3 V電源: 2.7 V～3.6 V
VCAPコンデンサ: 122 μF～360 μF
2.65 V未満では読み出し/書き込みを禁止
電源投入時のRECALL時間: 20 ms

利点

バッテリー不要のSRAM並み速度
20 nsによるメモリアクセスレイテンシ低減
シャットダウン時のデータ自動保存
SWまたはHSB制御による柔軟なバックアップ
電源復旧後の高速復元
高信頼性QuantumTrapバックアップ
リフレッシュ不要の長時間データ保持
頻繁な電源イベントへの耐性
シンプルな3 V電源レールによるレギュレーター削減
小型コンデンサーによる簡易バックアップHW
ブラウンアウト時のデータ破損防止
20 msのRECALLによるシステム起動高速化

用途

デザインリソース

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CY14B108L-ZS25XI

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特長

利点

用途

ドキュメント

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デザインリソース

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CY14B108L-ZS25XI

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