Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14B101NA-ZS45XIT

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY14B101NA-ZS45XIT
CY14B101NA-ZS45XIT
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY14B101NA-ZS45XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14B101NA-ZS45XITは、高速SRAMとQuantumTrap技術を採用した不揮発性ストレージをセルごとに組み合わせた、1Mビット (64K×16) の並列nvSRAMです。電源オフ時のAutoStoreと電源オン時のRECALLに加え、ソフトウェアまたはピンによるSTORE/RECALLにも対応しています。2.7 V～3.6 Vの単一電源で動作し、産業用-40℃～85℃の温度範囲に対応、45 nsのアクセス時間、20年間のデータ保持期間、100万回のSTOREサイクルを実現した44ピンTSOP IIパッケージです。

特長

  • QuantumTrap nvSRAM構造
  • 1 Mbit SRAM＋不揮発保存
  • VCAPで電源断AutoStore
  • HSB/ソフトでSTORE開始
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • tSTORE最大8 ms
  • tHRECALL最大20 ms
  • tRECALL最大200 µs
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • データ保持20年
  • 不揮発STORE 1000K回
  • VCC<2.65 Vで書込み禁止

利点

  • 突然の停電時のデータ保持
  • NVM管理用ファームウェアを削減
  • 電源復旧後の高速復元
  • ハードウェア制御とソフトウェア制御の両方に対応
  • 予測可能な保存時間 (最大8 ms)
  • 予測可能なブートリコール (20 ms)
  • ブラウンアウト時の書き込み破損なし
  • 3 V電源による一般的なロジックレールに適合
  • ログ記録に適した20年間のデータ保持
  • 100万回のSTORESによる頻繁な保存対応
  • 高トラフィックに対応する無制限のSRAM読み出し/書き込み
  • ビジーフラグ (HSB) によりタイミングを簡素化

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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