CY14B101LA-BA45XI

データシート

パッケージ

CY14B101LA-BA45XI

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

1 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

128K x 8
認定

Industrial

	推奨
OPN	CY14B101LA-BA45XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TFBGA-48
パッケージ名	FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ	598
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TFBGA-48
パッケージ名	FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ	598
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

CY14B101LA-BA45XIは、高速SRAMとQuantumTrap技術を採用した不揮発性ストレージを各セルに組み合わせた、1Mビット (128K×8) の並列nvSRAMです。本製品は、-40℃から85℃の温度範囲で、2.7 Vから3.6 Vの単一電源で動作し、45 nsのアクセス速度をサポートします。電源オフ時に61 μF～180 µFのVCAPを使用してデータが自動的にSTOREされ、ハードウェアまたはソフトウェアによるSTORE/RECALLが可能で、20年間のデータ保持期間と100万回のSTOREサイクルを備えています。48ボールFBGAパッケージで提供されます。

特長

QuantumTrap nvSRAMアーキテクチャ
不揮発性STORE機能付き1 MビットSRAM
VCAP電源断時の自動保存 (AutoStore)
HSBピンまたはソフトウェアシーケンスでSTORE
電源投入時またはソフトウェアシーケンスによるRECALL
tSTORE: 最大8 ms
tHRECALL: 最大20 ms
tRECALL最大200 μs
VCC 2.7 V～3.6 V
データ保持期間: 20年
不揮発性STOREサイクル: 100万回
2.65 V 未満の VCC 低下による動作禁止

利点

突然の停電時のデータ保持
NVM管理用ファームウェアを削減
電源復旧後の高速復元
ハードウェア制御とソフトウェア制御の両方に対応
予測可能な保存時間 (最大8 ms)
予測可能なブートリコール (20 ms)
ブラウンアウト時の書き込み破損なし
3 V電源による一般的なロジックレールに適合
ログ記録に適した20年間のデータ保持
100万回のSTORESによる頻繁な保存対応
高トラフィックに対応する無制限のSRAM読み出し/書き込み
ビジーフラグ (HSB) によりタイミングを簡素化

アプリケーション

デザインリソース

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CY14B101LA-BA45XI

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

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開発者コミュニティ

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