CY14B101KA-ZS25XIT

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CY14B101KA-ZS25XIT
CY14B101KA-ZS25XIT

製品仕様情報

  • Density
    1024 kBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
CY14B101KA-ZS25XITは、リアルタイムクロックを内蔵した1Mビット (128K×8) の並列nvSRAMで、高速SRAMとQuantumTrap技術を採用した不揮発性ストレージを組み合わせたものです。動作電圧範囲は2.7 V~3.6 V、動作温度範囲は-40℃~85℃、アクセス時間は25 nsです。電源オフ時の自動STOREには小型のVCAPコンデンサーを使用します。STORE/RECALLはソフトウェアまたはHSB制御でも可能です。20年間のデータ保存と100万回のSTOREサイクルに対応しています。

特長

  • 1 MビットnvSRAM + QuantumTrap NVM
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • HSBピン経由のハードウェアSTOREリクエスト
  • アドレス シーケンスによるソフトウェアSTORE/RECALL
  • 全セルの並列STORE/RECALL
  • SRAMの読み出し/書き込みは無制限
  • 不揮発性メモリからのRECALLは無制限
  • QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • 閏年追跡機能付きRTC
  • INT出力付きRTCアラーム
  • RTCバックアップ電流: 標準0.35 μA

利点

  • AutoStoreは停電時にデータを保存
  • 小型コンデンサーによりSTORE用バッテリーが不要
  • HSBピンで即時保存が可能
  • SWサイクルには追加のインターフェースが不要
  • パラレル転送により保存時間を最小化
  • SRAMのような高速アクセス
  • 摩耗制限なしで状態を復元
  • データログに適した高いSTORE耐久性
  • 長期間のデータ保持により、保守サービスの必要性を低減
  • 停電時にも時刻と日付を保持
  • アラーム/INTは時間指定のウェイクアップが可能
  • 低バックアップ電流で製品を長寿命化

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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