BSZ120P03NS3E G

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.
データシート

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BSZ120P03NS3E G
BSZ120P03NS3E G
データシート

Product details

  • Ciss
    2240 pF
  • Coss
    1090 pF
  • ID max
    -40 A
  • IDpuls max
    -160 A
  • Ptot max
    52 W
  • QG
    30 nC
  • RDS (on) max
    12 mΩ
  • Rth
    2.4 K/W
  • VDS max
    -30 V
  • VGS(th)
    -3.1 V to -1.9 V
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

機能

  • Enhancement mode
  • Normal level, logic level or super logic level
  • Avalanche rated
  • Pb-free lead plating
  • RoHS compliant 

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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